1、12)从而表明，在反馈振荡器与负阻振荡器之间存在可供实用的第三种振荡形式。
2、
3、21)但是，却很少有人知道，一些普通的NPN三极管，如2N2222、2N3904和2N4401，在反向偏置时也表现出负阻特性。
4、5)全面介绍了从硅光电负阻器件上发现的几种光电控制功能，为进一步开发应用这类器件奠定了基础。
6、7)这些效应使饱和区电流会随电压的增加而减小，即存在负阻效应。
8、11)用负阻值估算开关时间。
9、16)该结构降低了器件的寄生电容，改善了敏感薄膜的负阻特性，适用于共振隧穿效应陀螺。
10、9)同时，还讨论了负阻振荡器的原理和设计方法。
11、22)从热动力学理论出发，定量地证明回热器的自激振荡特性为负阻尼振荡。
12、6)借助于该电路，在微分负阻单口电路的基础上实现了斜率可调压控微分负阻双口。
13、1)在对负阻元器件特性进行研究和分析的基础上引出负阻效应的概念，对负阻效应产生方式和原理进行了论述。
14、20)根据BNRT不同工作状态下的内部电势、电子浓度和空穴浓度分布，解释了其S型负阻特性的产生机理。
15、19)亮毗佐危国、负阻不宾、然犹存录其言、耻善有遗、诚是大晋光明至德、泽被无疆、自古以来、未有之伦也。
16、10)通过分析CMOS差分负阻振荡器的工作原理，得到电路结构和参数的优化方案。
17、8)在反馈振荡器中，负阻仅仅表现为电路的交流参数。
18、15)实验结果表明，利用耦合负阻到谐振腔的方法，可明显改善滤波器的通带特性。
19、4)提出把LC振荡器等效成负阻振荡器的新观点，并以电容三点式振荡器为例，利用物理概念导出了该振荡器的振荡条件和振荡频率的准确公式，并将结果与相关讨论进行比较。
20、2)对一个SOI结构的负阻效应和瞬态特性的模拟结果表明，该程序能够正确模拟器件发热情况以及自热对器件特性的主要影响。
21、13)该文以负阻振荡器设计及自适应递推算法为基础，提出了负阻振荡器的最佳自适应递推设计方法。
22、3)本文探讨具有两个负阻区的微分负阻器件的电路合成法实现问题。
23、17)设计并实验了开关电容负阻变换器和电感仿真电路。
24、14)本文对它的光电负阻特性进行了数值模拟和实验研究，给出了器件等效电路。
25、18)晶体振荡器一般从负阻的角度来理解其工作原理，忽略了反相器的输出电阻和分压电阻的影响。